台湾方晶科技FL8205S,SOT-23-6L封装，双N通道塑封功率MOSFET。

V(BR)DSS=20V,ID=5.0A

RDS(on)MAX：0.025 Ω @ 4.5V；0.030 Ω @ 2.5V

特征
晶体管功率MOSFET
优秀的RDS（on）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
表面贴装封装

应用
电池保护
负荷开关
电源管理